產(chǎn)品介紹：

      等離子增強CVD系統(tǒng)由等離子發(fā)生器，三溫區(qū)管式爐、單溫區(qū)管式爐、射頻電源、真空系統(tǒng)組成。等離子增強CVD系統(tǒng)為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強化學(xué)氣相沉積法（PECVD）， 該PECVD石墨烯薄膜制備設(shè)備借助13.56Mhz的射頻輸出等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在真空腔體內(nèi)形成等離子體，利用等離子的強化學(xué)活性，改善反應(yīng)條件，利用等離子體的活性來促進反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。

等離子增強CVD系統(tǒng)適用范圍：

等離子增強CVD系統(tǒng)可以用于：石墨烯制備、硫化物制備、納米材料制備等多種試驗場所。可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應(yīng)用于刀具、高精模具、硬質(zhì)涂層、高duan裝飾等領(lǐng)域。 

等離子增強CVD系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)： 

三 溫 區(qū) 管 式 爐	產(chǎn)品型號	CY-PECVD50R-1200-Q
	爐管材質(zhì)	高純石英
	爐管直徑	50mm
	爐管長度	2830mm
	爐膛長度	660mm
	加熱區(qū)長	200mm+200mm+200mm
	工作溫度	0～1100℃
	控溫精度	±1℃
	控溫模式	30段或50段程序控溫
	顯示模式	LCD
	密封方式	304不銹鋼真空法蘭
	法蘭接口	1/4英寸卡套接頭，KF16/25/40接頭
	可抽真空	4.4E-3Pa
	供電電源	AC:220V 50/60Hz
單 溫 區(qū) 管 式 爐	產(chǎn)品型號	CY-O1200-50IT
	爐管材質(zhì)	高純石英
	爐管直徑	50mm
	爐管長度	2830mm
	爐膛長度	440mm
	加熱區(qū)長	400mm
	恒溫區(qū)長	200mm
	工作溫度	0～1100℃
	控溫精度	±1℃
	控溫模式	30段或50段程序控溫
	顯示模式	LCD
	密封方式	304不銹鋼真空法蘭
	法蘭接口	1/4英寸卡套接頭，KF16/25/40接頭
	可抽真空	4.4E-3Pa
	供電電源	AC:220V 50/60Hz
RF 輸 出 系 統(tǒng)	功率范圍	0~500W可調(diào)
	工作頻率	13.56MHz+0.005%
	工作模式	連續(xù)輸出
	顯示模式	LCD
	匹配阻抗模式	能夠匹配，起輝均勻布滿三溫區(qū)爐管
	功率穩(wěn)定度	≤2W
	正常工作反射功率	≤3W
	放大反射功率	≤70W
	諧波分量	≤-50dBc
	整機效率	≥70%
	功率因素	≥90%
	供電電壓/頻率	單相交流（187V~153V） 頻率50/60Hz
	控制模式	內(nèi)控/PLC 模擬量/RS232/485通訊
	電源保護設(shè)置	DC過流保護，功放過溫保護，反射功率保護
	冷卻方式	強制風(fēng)冷
	起輝長度	在Ar下射頻電源與線圈配合起輝輝光能布滿三個溫區(qū)的爐體長度
供 氣 系 統(tǒng)	四路質(zhì)子流量計	質(zhì)子流量計
	流量范圍	MFC1量程：0~200sccm  MFC2量程：0~200sccm MFC3量程：0~500sccm  MFC4量程：0~500sccm 分別對應(yīng)氣體H2、 CH4、 N2、 Ar、
	測量精度	±1.5%F.S
	重復(fù)精度	±0.2%FS
	線性精度	±1%F.S.
	響應(yīng)時間	≤4s
	工作壓力	-0.15Mpa~0.15Mpa
	流量控制	液晶觸摸屏控制，數(shù)字顯示，每路氣體含有針閥單獨控制
	進氣接口	可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管
	出氣接口	可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管
	連接方式	雙卡套接頭
	工作溫度	5~45℃
	氣體預(yù)混	配氣體預(yù)混裝置
	供電電源	AC:220V 50/60Hz
排 氣 系 統(tǒng)	機械泵	旋片泵
	抽氣速率	1.1L/S
	排氣接口	KF16
	真空測量	電阻規(guī)
	極限真空	1.0E-1Pa
	供電電源	AC:220V 50/60Hz
	抽氣接口	KF16
軌道	軌道長度	3米，能實現(xiàn)三溫區(qū)爐子一個爐位長度的滑動，實現(xiàn)快速升降溫

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