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提拉法單晶生長設(shè)備，采用真空懸浮熔煉，其溫度可達2100°C。此系統(tǒng)包含一個高頻感應(yīng)電源，高真空腔體，水冷銅坩堝（用于是浮熔煉）和精密提拉機構(gòu)。懸浮熔煉避免了樣品被坩堝污染，可以得到高純度的金屬單晶.
提拉法晶體生長爐在jing確控制的環(huán)境下，將一小塊作為“種子”的單晶與同質(zhì)材料的熔體接觸，然后通過緩慢地向上提拉和旋轉(zhuǎn)，使熔體在種子晶體上按原有晶格結(jié)構(gòu)不斷外延生長，zui終形成一根較大的單晶棒
提拉法之所以成為制備電子級和光學(xué)級單晶的主流方法，主要歸功于其以下顯著優(yōu)點:
1.晶體質(zhì)量高
2.可生長大尺寸、完整性好的單晶
3.生長速度快，效率較高
4.可直觀觀察和控制生長過程
5.能夠控制晶體的取向
6.可生長高熔點晶體
應(yīng)用領(lǐng)域:
1.微電子工業(yè)
2.光電子產(chǎn)業(yè)
3.半導(dǎo)體照明與顯示
4.光學(xué)元件
5.科學(xué)研究
提拉法晶體生長爐是一種能夠制備高質(zhì)量大尺寸單晶的關(guān)鍵設(shè)備，其技術(shù)優(yōu)勢明顯，在從基礎(chǔ)科學(xué)研究到現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)、gao端制造業(yè)等眾多領(lǐng)域都扮演著不可或缺的角色
技術(shù)參數(shù):
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產(chǎn)品名稱 |
晶體生長爐 |
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產(chǎn)品型號 |
CY-02100°C-CZ-D8001000-T |
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工作電壓 |
240V AC，0.2-29 kHz，三相 |
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工作電流 |
100A |
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zui大功耗 |
50 KW |
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熔化溫度 |
zui高：2100°C (3812°F) |
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精度 |
< +/- 0.2°C，采用 Euro-thermo 溫控器 |
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zui大真空度 |
10-3 torr，采用機械泵（含） |
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真空室尺寸 |
500mm（直徑）x 700mm（高） |
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水冷方式 |
水流經(jīng)真空室夾套和晶種棒 |
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水壓 |
0.13 - 0.18 MPa |
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水流量 |
60 L/分鐘 |
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控制器 |
電子操作單元，用于控制拉晶、旋轉(zhuǎn)和溫度 |
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拉晶器 |
由恒轉(zhuǎn)矩直流電機驅(qū)動 |
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拉晶速率 |
0.1-20mm/h |
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zui大籽晶棒移動距離 |
400mm |
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旋轉(zhuǎn)速度 |
0-40 RPM |
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坩堝棒升降速度 |
手動 |
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坩堝棒zui大移動距離 |
100mm |
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產(chǎn)品尺寸
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晶體生長控制器 |
880mm(長) x 1250mm(寬) x 2850mm(高) |
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控制單元 |
680mm(長) x 540mm(寬) x 1700mm(高) |
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射頻電源 |
800mm(長) x 500mm(寬) x 1500mm(高) |
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